Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM020N04LCR RLG
TSM020N04LCR RLG

TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM020N04LCR_A1608.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TSM020N04LCR RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM020N04LCR_A1608-1079953.pdf MOSFET 40V 170A Single N-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm020n04lcr_a1608.pdf N Channel Power MOSFET
товар відсутній
TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM020N04LCR_A1608.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товар відсутній