TSM024NA04LCR RLG

TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM024NA04LCR_B1611.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.46 грн
10+ 79.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TSM024NA04LCR RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM024NA04LCR_B1611-1143099.pdf MOSFET 40V 170A Single N-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM024NA04LCR_B1611.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
товар відсутній