TSM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 69.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM025NH04CR RLG за ціною від 65.62 грн до 175.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM025NH04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 25 V |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM025NH04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|