TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.86 грн |
| 500+ | 56.44 грн |
| 1000+ | 52.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції TSM033NB04CR RLG за ціною від 52.02 грн до 128.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM033NB04CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
.JPG "TSM033NB04CR RLG") |
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 40V 121A Single N-Ch annel Power MOSFET |
на замовлення 4399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
TSM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN EP T/R |
товару немає в наявності |