Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM033NB04CR RLG
TSM033NB04CR RLG

TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

3256625.pdf Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.18 грн
500+59.62 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції TSM033NB04CR RLG за ціною від 41.72 грн до 132.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.17 грн
11+87.17 грн
100+78.95 грн
500+65.69 грн
1000+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR_B1804.pdf MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.26 грн
10+98.68 грн
100+67.47 грн
500+57.15 грн
1000+46.53 грн
2500+43.85 грн
5000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm033nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.