Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM033NB04CR RLG
TSM033NB04CR RLG

TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

3256625.pdf Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.91 грн
500+55.71 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції TSM033NB04CR RLG за ціною від 38.99 грн до 127.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR_B1804.pdf MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.59 грн
10+92.22 грн
100+63.05 грн
500+53.41 грн
1000+43.48 грн
2500+40.98 грн
5000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256625.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.92 грн
10+87.48 грн
100+60.91 грн
500+55.71 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm033nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NB04CR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM033NB04CR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; 36W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Power dissipation: 36W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.