Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM038N03PQ33 RGG
TSM038N03PQ33 RGG

TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM038N03PQ33_B1610.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.61 грн
10000+16.48 грн
15000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM038N03PQ33 RGG за ціною від 18.57 грн до 135.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 15312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.36 грн
10+44.23 грн
100+30.16 грн
500+22.45 грн
1000+19.78 грн
2000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM038N03PQ33_B1610.pdf MOSFET 30V, 78A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 35095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.81 грн
10+111.14 грн
100+76.87 грн
500+64.94 грн
1000+52.35 грн
5000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 958055845261667tsm038n03pq33_b1610.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 78A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.