Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM042N03CS RLG
TSM042N03CS RLG

TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM042N03CS_A14.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.13 грн
7500+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM042N03CS RLG за ціною від 42.38 грн до 186.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM042N03CS-RLG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 7W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Power dissipation: 7W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
On-state resistance: 6mΩ
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.27 грн
10+47.45 грн
25+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 13474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
10+115.47 грн
50+87.95 грн
100+74.21 грн
500+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor TSM042N03CS_A14.pdf MOSFETs 30V, 30A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS-RLG.pdf
TSM042N03CS RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 7W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Power dissipation: 7W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
On-state resistance: 6mΩ
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.27 грн
10+47.45 грн
25+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 13474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.39 грн
10+115.47 грн
50+87.95 грн
100+74.21 грн
500+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 30V, 30A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.