Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM042N03CS RLG
TSM042N03CS RLG

TSM042N03CS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

TSM042N03CS-RLG.pdf Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.78 грн
10+47.04 грн
25+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM042N03CS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM042N03CS RLG за ціною від 19.85 грн до 127.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.17 грн
5000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM042N03CS_A14.pdf MOSFETs 30V, 30A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 9708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.03 грн
10+55.49 грн
100+32.92 грн
500+27.51 грн
1000+23.41 грн
2500+21.15 грн
5000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.05 грн
10+101.43 грн
100+80.72 грн
500+64.10 грн
1000+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.