TSM042N03CS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
Power dissipation: 7W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 54.70 грн |
| 10+ | 45.31 грн |
| 25+ | 40.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM042N03CS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM042N03CS RLG за ціною від 22.09 грн до 135.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM042N03CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM042N03CS RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 7W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 24nC Power dissipation: 7W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM042N03CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 30V, 30A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 9708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM042N03CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 14177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM042N03CS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |