Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM048NB06LCR RLG
TSM048NB06LCR RLG

TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM048NB06LCR_B1804.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM048NB06LCR RLG за ціною від 54.39 грн до 186.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor tsm048nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 107A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.14 грн
5000+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor tsm048nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 107A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.50 грн
5000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor tsm048nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 107A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+117.95 грн
100+89.24 грн
500+74.47 грн
1000+68.59 грн
2500+58.71 грн
5000+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM048NB06LCR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 45W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
Case: PDFN56U
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.13 грн
5+141.26 грн
25+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
10+115.55 грн
50+87.83 грн
100+74.03 грн
500+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG tsm048nb06lcr_b1804.pdf
TSM048NB06LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 107A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+72.14 грн
5000+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG tsm048nb06lcr_b1804.pdf
TSM048NB06LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 107A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+72.50 грн
5000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG tsm048nb06lcr_b1804.pdf
TSM048NB06LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 107A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+117.95 грн
100+89.24 грн
500+74.47 грн
1000+68.59 грн
2500+58.71 грн
5000+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR_B1804.pdf
TSM048NB06LCR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 45W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
Case: PDFN56U
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.13 грн
5+141.26 грн
25+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR_B1804.pdf
TSM048NB06LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.39 грн
10+115.55 грн
50+87.83 грн
100+74.03 грн
500+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.