Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM048NB06LCR RLG
TSM048NB06LCR RLG

TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM048NB06LCR_B1804.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM048NB06LCR RLG за ціною від 53.98 грн до 184.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM048NB06LCR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 45W; PDFN56U
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PDFN56U
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.36 грн
5+140.24 грн
9+111.88 грн
23+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6253 pF @ 30 V
на замовлення 7118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.63 грн
10+114.26 грн
100+78.03 грн
500+58.66 грн
1000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm048nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM048NB06LCR RLG TSM048NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR_B1804-1918747.pdf MOSFET 60V 107A Single N-Ch annel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.