TSM055N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.20 грн |
| 10+ | 45.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM055N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TSM055N03EPQ56 RLG за ціною від 17.46 грн до 97.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM055N03EPQ56 RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 30V, 80A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 9392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|