TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.17 грн |
| 5000+ | 16.58 грн |
| 12500+ | 15.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM05N03CW RPG за ціною від 18.44 грн до 125.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V |
на замовлення 22115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor |
MOSFET 30V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4648 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TSM05N03CW RPG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Trans N-CHANNEL 30V 5A 3W 0.06R TSM05N03CW TTSM05n03cwкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| TSM05N03CW RPG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 22115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.92 грн |
| 10+ | 39.91 грн |
| 100+ | 27.63 грн |
| 500+ | 21.66 грн |
| 1000+ | 18.44 грн |
| TSM05N03CW RPG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFET 30V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TSM05N03CW RPG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.72 грн |
| 15+ | 53.48 грн |
| 25+ | 51.91 грн |
| 100+ | 39.55 грн |
| 250+ | 34.08 грн |
| 500+ | 29.84 грн |
| 1000+ | 25.68 грн |
| TSM05N03CW RPG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Trans N-CHANNEL 30V 5A 3W 0.06R TSM05N03CW TTSM05n03cw
кількість в упаковці: 5 шт
Trans N-CHANNEL 30V 5A 3W 0.06R TSM05N03CW TTSM05n03cw
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 125.80 грн |



