TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.72 грн |
| 5000+ | 18.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM060N03CP ROG за ціною від 21.02 грн до 54.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM060N03CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 51A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.1nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM060N03CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 51A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.1nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM060N03CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V |
на замовлення 8244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM060N03CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TSM060N03CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 30V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |