TSM060N03CP ROG

TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM060N03CP_B1807.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.45 грн
5000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM060N03CP ROG за ціною від 22.79 грн до 86.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM060N03CP_B1807.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 51A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 51A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.13 грн
9+46.22 грн
24+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.33 грн
10+52.16 грн
100+34.39 грн
500+25.10 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm060n03cp_b1807.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM060N03CP_B1807.pdf MOSFETs 30V, 70A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.