Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM060N03PQ33 RGG
TSM060N03PQ33 RGG

TSM060N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM060N03PQ33_C1608.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 12022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.81 грн
10+40.24 грн
100+31.01 грн
500+21.13 грн
1000+16.79 грн
2000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM060N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM060N03PQ33 RGG за ціною від 12.65 грн до 65.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33_C1608.pdf MOSFETs 30V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.77 грн
10+44.33 грн
100+30.47 грн
500+23.16 грн
1000+16.15 грн
5000+14.78 грн
10000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 43312558292727tsm060n03pq33_c1608.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin P-DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33_C1608.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.