Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM060NB06CZ C0G
TSM060NB06CZ C0G

TSM060NB06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

TSM060NB06CZ_A2008.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6842 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.52 грн
10+127.36 грн
100+87.45 грн
500+66.06 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM060NB06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6842 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM060NB06CZ C0G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM060NB06CZ C0G TSM060NB06CZ C0G Виробник : Taiwan Semiconductor TSM060NB06CZ_A2008-2302779.pdf MOSFET 60V, 111A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.