TSM061NA03CV RGG Taiwan Semiconductor
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM061NA03CV RGG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TSM061NA03CV RGG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM061NA03CV RGG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |