Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM076NH04LDCR RLG
TSM076NH04LDCR RLG

TSM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM076NH04LDCR_D2207.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.48 грн
10+99.89 грн
100+68.00 грн
500+51.00 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 55.6W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM076NH04LDCR RLG за ціною від 43.49 грн до 175.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM076NH04LDCR_D2207.pdf MOSFETs 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.94 грн
10+111.24 грн
100+66.19 грн
500+52.63 грн
1000+50.34 грн
2500+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM076NH04LDCR RLG TSM076NH04LDCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04LDCR_D2207.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.