Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM085N03PQ33 RGG
TSM085N03PQ33 RGG

TSM085N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM085N03PQ33_D1608.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.75 грн
10000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM085N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM085N03PQ33 RGG за ціною від 12.73 грн до 49.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM085N03PQ33 RGG TSM085N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33_D1608.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
10+37.93 грн
100+26.38 грн
500+19.33 грн
1000+15.71 грн
2000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085N03PQ33 RGG TSM085N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM085N03PQ33_D1608.pdf MOSFET 30V, 52A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.52 грн
10+42.13 грн
100+25.53 грн
500+19.94 грн
1000+14.49 грн
5000+13.68 грн
10000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085N03PQ33 RGG TSM085N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 40875670042207tsm085n03pq33_d1608.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.