TSM085NB03CV RGG

TSM085NB03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM085NB03CV_A2010.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM085NB03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM085NB03CV RGG за ціною від 15.68 грн до 56.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM085NB03CV RGG TSM085NB03CV RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03CV_A2010.pdf Description: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.52 грн
10+36.66 грн
100+25.15 грн
500+18.68 грн
1000+17.05 грн
2000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.