Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM085NB03CV RGG
TSM085NB03CV RGG

TSM085NB03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM085NB03CV_A2010.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM085NB03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM085NB03CV RGG за ціною від 16.46 грн до 71.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM085NB03CV RGG TSM085NB03CV RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03CV_A2010.pdf Description: 30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1101 pF @ 15 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.21 грн
10+42.42 грн
100+27.66 грн
500+20.00 грн
1000+18.07 грн
2000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085NB03CV RGG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM085NB03CV_A2010.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; 52W; PDFN33
Case: PDFN33
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 52W
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.