Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM085P03CS RLG
TSM085P03CS RLG

TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM085P03CS_A1703.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3216 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.82 грн
5000+24.84 грн
7500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3216 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM085P03CS RLG за ціною від 18.90 грн до 103.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM085P03CS RLG TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor TSM085P03CS_A1703.pdf MOSFETs -30, -34, Single P-Channel
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+60.73 грн
100+36.66 грн
500+28.72 грн
1000+26.16 грн
2500+23.40 грн
5000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLG TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CS_A1703.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3216 pF @ 15 V
на замовлення 13045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+63.19 грн
100+41.98 грн
500+30.86 грн
1000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM085P03CS_A1703.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 34A; 14W; -55°C ~ 150°C; TSM085P03CS RLG TSM085P03CS TTSM085p03cs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLG TSM085P03CS_A1703.pdf
TSM085P03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -30, -34, Single P-Channel
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.01 грн
10+60.73 грн
100+36.66 грн
500+28.72 грн
1000+26.16 грн
2500+23.40 грн
5000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLG TSM085P03CS_A1703.pdf
TSM085P03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3216 pF @ 15 V
на замовлення 13045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.29 грн
10+63.19 грн
100+41.98 грн
500+30.86 грн
1000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM085P03CS RLG TSM085P03CS_A1703.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 34A; 14W; -55°C ~ 150°C; TSM085P03CS RLG TSM085P03CS TTSM085p03cs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.