Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM089N08LCR RLG
TSM089N08LCR RLG

TSM089N08LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM089N08LCR_A1608.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6119 pF @ 40 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM089N08LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6119 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TSM089N08LCR RLG за ціною від 59.15 грн до 176.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM089N08LCR RLG TSM089N08LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM089N08LCR_A1608.pdf MOSFETs 80V, 67A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.63 грн
10+133.67 грн
100+94.17 грн
250+90.49 грн
500+77.25 грн
1000+65.70 грн
2500+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM089N08LCR RLG TSM089N08LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM089N08LCR_A1608.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6119 pF @ 40 V
на замовлення 8736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.67 грн
10+139.47 грн
100+111.43 грн
500+72.45 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM089N08LCR RLG TSM089N08LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173215454829398tsm089n08lcr_a1608.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 67A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.