Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM110NB04CR RLG
TSM110NB04CR RLG

TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

pdf.php?pn=TSM110NB04CR Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.61 грн
10+48.58 грн
100+33.62 грн
500+26.37 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TSM110NB04CR RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM110NB04CR RLG TSM110NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM110NB04CR Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1443 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04CR RLG TSM110NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM110NB04CR_B1804-1480591.pdf MOSFET 40V 54A 11mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.