Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM110NB04DCR RLG
TSM110NB04DCR RLG

TSM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM110NB04DCR_A1908.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM110NB04DCR RLG за ціною від 31.78 грн до 67.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04DCR_A1908.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1506pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 14882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+50.96 грн
100+39.73 грн
500+33.03 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR_A1908.pdf MOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.03 грн
10+53.81 грн
100+36.49 грн
500+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04DCR RLG TSM110NB04DCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm110nb04dcr_a1908.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.