TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
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Технічний опис TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Інші пропозиції TSM110NB04LCR RLG за ціною від 23.51 грн до 89.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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TSM110NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V |
на замовлення 15996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TSM110NB04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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TSM110NB04LCR RLG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 8142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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TSM110NB04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TSM110NB04LCR RLG |
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Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
на замовлення 15996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.69 грн |
| 10+ | 53.91 грн |
| 100+ | 35.49 грн |
| 500+ | 25.90 грн |
| 1000+ | 23.51 грн |
| TSM110NB04LCR RLG |
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Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TSM110NB04LCR RLG |
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Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 8142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TSM110NB04LCR RLG |
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Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Verlustleistung Pd: 68W
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)