Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM110NB04LDCR RLG
TSM110NB04LDCR RLG

TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM110NB04LDCR RLG за ціною від 30.87 грн до 125.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM110NB04LDCR RLG TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.03 грн
10+68.49 грн
100+53.27 грн
500+42.37 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLG TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.53 грн
10+78.61 грн
100+45.92 грн
500+36.22 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLG
TSM110NB04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.03 грн
10+68.49 грн
100+53.27 грн
500+42.37 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM110NB04LDCR RLG
TSM110NB04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.53 грн
10+78.61 грн
100+45.92 грн
500+36.22 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.