Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CO., LTD. > TSM120N06LCR RLG

TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Co., Ltd.

TSM120N06LCR_A1610.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 54A; 69W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR TTSM120n06lcr
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Co., Ltd.

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM120N06LCR RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173216566978726tsm120n06lcr_a1610.pdf N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173216566978726tsm120n06lcr_a1610.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173216566978726tsm120n06lcr_a1610.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173216566978726tsm120n06lcr_a1610.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR_A1610.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM120N06LCR_A1610.pdf MOSFETs 60V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM120N06LCR_A1610.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 14W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 14W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.