Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM120N06LCS RLG
TSM120N06LCS RLG

TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N06LCS_C1710.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM120N06LCS RLG за ціною від 18.56 грн до 102.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS_C1710.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.23 грн
10+58.54 грн
100+38.92 грн
500+28.60 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM120N06LCS_C1710.pdf MOSFETs 60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.22 грн
10+63.34 грн
100+36.58 грн
500+28.72 грн
1000+26.15 грн
2500+23.30 грн
5000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM120N06LCS_C1710.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS TTSM120n06lcs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM120N06LCS_C1710.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS TTSM120n06lcs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.