TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.90 грн |
| 10+ | 64.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM120N06LCS RLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
TSM120N06LCS RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 37nC Kind of package: tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TSM120N06LCS RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM120N06LCS RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 60V, 23A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM120N06LCS RLG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Kind of package: tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM120N06LCS RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM120N06LCS RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM120N06LCS RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.