
TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 30.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM120N06LCS RLG за ціною від 17.97 грн до 79.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V |
на замовлення 4975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM120N06LCS RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TSM120N06LCS RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |