TSM126CX RFG

TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor


TSM126_A14-1143115.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 600V 30mA N-Channel Depletion Mode
на замовлення 11708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM126CX RFG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM126CX RFG TSM126CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm126_a14.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM126CX RFG TSM126CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM126_VerA14.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM126CX RFG TSM126CX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM126_VerA14.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 800Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.18nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.