TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor
на замовлення 11708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM126CX RFG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM126CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
TSM126CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |