Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM130NB06LCR RLG
TSM130NB06LCR RLG

TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM130NB06LCR_B1804.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.79 грн
5000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM130NB06LCR RLG за ціною від 31.13 грн до 115.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM130NB06LCR RLG TSM130NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 30 V
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.38 грн
10+70.00 грн
100+46.50 грн
500+34.17 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCR RLG TSM130NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm130nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM130NB06LCR_B1804-1480649.pdf MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM130NB06LCR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM130NB06LCR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 28W; PDFN56
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN56
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.