Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM150NB04CR RLG
TSM150NB04CR RLG

TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor

tsm150nb04cr_b1804.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
329+42.93 грн
372+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerLDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V.

Інші пропозиції TSM150NB04CR RLG за ціною від 38.03 грн до 107.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor tsm150nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.60 грн
18+42.93 грн
100+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.47 грн
10+92.70 грн
100+72.25 грн
500+56.01 грн
1000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLG tsm150nb04cr_b1804.pdf
TSM150NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.60 грн
18+42.93 грн
100+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR_B1804.pdf
TSM150NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR_B1804.pdf
TSM150NB04CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.47 грн
10+92.70 грн
100+72.25 грн
500+56.01 грн
1000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.