TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 36.61 грн |
| 18+ | 34.46 грн |
| 100+ | 30.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V.
Інші пропозиції TSM150NB04CR RLG за ціною від 32.88 грн до 110.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM150NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
.JPG "TSM150NB04CR RLG") |
TSM150NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM150NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM150NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TSM150NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TSM150NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
TSM150NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |