TSM150NB04CR RLG

TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor


tsm150nb04cr_b1804.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+35.02 грн
18+ 32.97 грн
100+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TSM150NB04CR RLG за ціною від 31.45 грн до 100.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm150nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
329+35.51 грн
372+ 31.45 грн
Мінімальне замовлення: 329
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.13 грн
10+ 86.36 грн
100+ 67.31 грн
500+ 52.18 грн
1000+ 41.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm150nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm150nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm150nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TSM150NB04CR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM150NB04CR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 19W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM150NB04CR RLG TSM150NB04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM150NB04CR_B1804.pdf MOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
TSM150NB04CR RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM150NB04CR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 19W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній