Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM150NB04LDCR RLG
TSM150NB04LDCR RLG

TSM150NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation


Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.48 грн
5000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM150NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM150NB04LDCR RLG за ціною від 27.22 грн до 122.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM150NB04LDCR RLG TSM150NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+59.96 грн
100+46.64 грн
500+37.10 грн
1000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LDCR RLG TSM150NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.25 грн
10+76.51 грн
100+44.23 грн
500+34.81 грн
1000+31.79 грн
2500+28.41 грн
5000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LDCR RLG
TSM150NB04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A/37A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.95 грн
10+59.96 грн
100+46.64 грн
500+37.10 грн
1000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150NB04LDCR RLG
TSM150NB04LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.25 грн
10+76.51 грн
100+44.23 грн
500+34.81 грн
1000+31.79 грн
2500+28.41 грн
5000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.