TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TSM160N10LCR RLG за ціною від 44.68 грн до 118.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM160N10LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V |
на замовлення 10887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM160N10LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V, 46A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM160N10LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 46A 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM160N10LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM160N10LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM160N10LCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |