TSM160P02CS Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP TSM160P02CS RLG; TSM160P02CS-RLG; TSM160P02CS TTSM160p02cs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 28.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM160P02CS Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Description: -20, -11, SINGLE P-CHANNEL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TSM160P02CS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM160P02CS | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: -20, -11, SINGLE P-CHANNEL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |