Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM170N06PQ56 RLG
TSM170N06PQ56 RLG

TSM170N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06PQ56_A1608.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.54 грн
5000+23.18 грн
7500+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM170N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM170N06PQ56 RLG за ціною від 21.26 грн до 94.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM170N06PQ56 RLG TSM170N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06PQ56_A1608.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 30 V
на замовлення 16096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+58.93 грн
100+48.66 грн
500+32.82 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06PQ56 RLG TSM170N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM170N06PQ56_A1608.pdf MOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.41 грн
10+71.74 грн
100+52.53 грн
500+35.61 грн
1000+28.10 грн
2500+25.60 грн
5000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06PQ56 RLG TSM170N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 11173213477717180tsm170n06pq56_a1608.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.