TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 11.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM180N03PQ33 RGG за ціною від 9.33 грн до 57.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM180N03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 9855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TSM180N03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 30V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 11407 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| TSM180N03PQ33 RGG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.58 грн |
| 10+ | 30.79 грн |
| 50+ | 22.51 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 500+ | 14.14 грн |
| TSM180N03PQ33 RGG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 30V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 30V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11407 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.41 грн |
| 12+ | 25.70 грн |
| 100+ | 19.64 грн |
| 500+ | 14.97 грн |
| 5000+ | 10.68 грн |
| 10000+ | 9.93 грн |
| 25000+ | 9.33 грн |