Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM180N03PQ33 RGG
TSM180N03PQ33 RGG

TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM180N03PQ33_B1710.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM180N03PQ33 RGG за ціною від 9.12 грн до 35.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM180N03PQ33 RGG TSM180N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
12+27.13 грн
100+18.89 грн
500+14.28 грн
1000+10.60 грн
2000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03PQ33 RGG TSM180N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM180N03PQ33_B1710.pdf MOSFETs 30V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 11864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
12+30.20 грн
100+18.32 грн
500+14.27 грн
1000+10.45 грн
5000+9.78 грн
10000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03PQ33 RGG TSM180N03PQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 138tsm180n03pq33_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.