Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM180P03CS RLG
TSM180P03CS RLG

TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM180P03CS_A14.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM180P03CS RLG за ціною від 15.82 грн до 53.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS_A14.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+47.21 грн
100+31.66 грн
500+24.75 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM180P03CS_A14.pdf MOSFETs -30V, -10A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.04 грн
10+49.41 грн
100+31.78 грн
500+26.56 грн
1000+22.66 грн
2500+20.23 грн
5000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm180p03cs_a14.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS RLG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM180P03CS_A14.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.3A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.