TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 390.44 грн |
| 50+ | 196.01 грн |
| 100+ | 178.60 грн |
| 500+ | 138.98 грн |
| 1000+ | 130.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM190N08CZ C0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM190N08CZ C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TSM190N08CZ C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 75V, 190A, Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |