Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM190N08CZ C0G

TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Name: TSM190N08CZ C0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: 7360181-3
Price: 406.30 UAH
Availability: InStock

Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	406.30 грн
50+	203.97 грн
100+	185.85 грн
500+	144.62 грн
1000+	136.10 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM190N08CZ C0G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
TSM190N08CZ C0G	Виробник : Taiwan Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 75V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TSM190N08CZ C0G	Виробник : Taiwan Semiconductor	MOSFETs 75V, 190A, Single N-Channel Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TSM190N08CZ C0G	Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 14A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 14A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.