
TSM1NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 14962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.01 грн |
75+ | 34.28 грн |
150+ | 30.47 грн |
525+ | 23.50 грн |
1050+ | 21.30 грн |
2025+ | 19.53 грн |
5025+ | 17.23 грн |
10050+ | 15.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM1NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM1NB60CH C5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM1NB60CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TSM1NB60CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |