Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM1NB60CP ROG
TSM1NB60CP ROG

TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60CP_A2309.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TSM1NB60CP ROG за ціною від 16.04 грн до 83.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0003369663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.32 грн
500+46.44 грн
1000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM1NB60CP_A2309.pdf MOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.10 грн
10+46.70 грн
100+28.10 грн
250+28.03 грн
500+23.47 грн
1000+20.01 грн
10000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP_A2309.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+44.83 грн
100+30.57 грн
500+22.92 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0003369663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.35 грн
15+55.21 грн
100+52.32 грн
500+46.44 грн
1000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor 4896490005937573tsm1nb60_d1706.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CP ROG TSM1NB60CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1NB60CP_A2309.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.