Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM1NB60CW RPG
TSM1NB60CW RPG

TSM1NB60CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60CW_A2206.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.74 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM1NB60CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TSM1NB60CW RPG за ціною від 20.79 грн до 63.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM1NB60CW RPG TSM1NB60CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW_A2206.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
на замовлення 9516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.19 грн
10+46.14 грн
100+34.66 грн
500+25.98 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CW RPG TSM1NB60CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM1NB60CW_A2206.pdf MOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.55 грн
10+54.73 грн
100+32.87 грн
500+27.53 грн
1000+23.36 грн
2500+20.87 грн
5000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1NB60CW RPG TSM1NB60CW RPG Виробник : Taiwan Semiconductor 4896490005937573tsm1nb60_d1706.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.