Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM200N03DPQ33 RGG
TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM200N03D_B1710.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3), Part Status: Active.

Інші пропозиції TSM200N03DPQ33 RGG за ціною від 12.32 грн до 71.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03DPQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03D_B1710.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.24 грн
10+39.63 грн
100+25.81 грн
500+18.61 грн
1000+16.80 грн
2000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03DPQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM200N03D_B1710.pdf MOSFETs 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.45 грн
10+43.58 грн
100+24.73 грн
500+19.06 грн
1000+15.62 грн
5000+13.86 грн
10000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03DPQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 139tsm200n03d_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin P-DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03DPQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 139tsm200n03d_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03DPQ33 RGG Виробник : Taiwan Semiconductor 139tsm200n03d_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.