TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.48 грн |
| 5000+ | 19.26 грн |
| 7500+ | 18.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PDFN56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.
Інші пропозиції TSM220NB06CR RLG за ціною від 18.07 грн до 128.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TSM220NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V |
на замовлення 9176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TSM220NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TSM220NB06CR RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.30 грн |
| 10+ | 45.69 грн |
| 100+ | 28.41 грн |
| 500+ | 23.14 грн |
| 1000+ | 21.03 грн |
| 2500+ | 19.13 грн |
| 5000+ | 18.07 грн |
| TSM220NB06CR RLG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.41 грн |
| 10+ | 45.56 грн |
| 100+ | 31.43 грн |
| 500+ | 23.53 грн |
| 1000+ | 21.56 грн |
| TSM220NB06CR RLG |
|
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.81 грн |
| 10+ | 82.87 грн |
| 100+ | 51.44 грн |
| 500+ | 43.43 грн |
| 1000+ | 36.78 грн |