Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM220NB06LCR RLG
TSM220NB06LCR RLG

TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor

tsm220nb06lcr_b1804.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+5.10 грн
534+1.13 грн
545+1.11 грн
552+1.06 грн
560+0.96 грн
568+0.91 грн
580+0.89 грн
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM220NB06LCR RLG за ціною від 24.59 грн до 93.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+56.40 грн
100+37.14 грн
500+27.09 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm220nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm220nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm220nb06lcr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR_B1804.pdf MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.