Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2301ACX RFG
TSM2301ACX RFG

TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2301A_C15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.71 грн
9000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM2301ACX RFG за ціною від 11.22 грн до 57.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2301A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.66 грн
17+24.35 грн
79+11.88 грн
218+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.18 грн
6000+43.10 грн
12000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 56753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.85 грн
10+34.61 грн
50+25.36 грн
100+20.97 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG tsm2301a_c15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG tsm2301a_c15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301A.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.66 грн
17+24.35 грн
79+11.88 грн
218+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG tsm2301a_c15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.18 грн
6000+43.10 грн
12000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301A_C15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 56753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.85 грн
10+34.61 грн
50+25.36 грн
100+20.97 грн
500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.