Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2301ACX RFG
TSM2301ACX RFG

TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2301A_C15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.65 грн
6000+12.06 грн
9000+11.50 грн
15000+10.21 грн
21000+9.87 грн
30000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM2301ACX RFG за ціною від 10.49 грн до 57.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2301A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 7.2nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.45 грн
18+23.60 грн
100+16.65 грн
500+13.64 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.76 грн
6000+42.72 грн
12000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 92293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.87 грн
10+34.49 грн
100+22.25 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2301A_C15.pdf Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG tsm2301a_c15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG tsm2301a_c15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301A.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 7.2nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.45 грн
18+23.60 грн
100+16.65 грн
500+13.64 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG tsm2301a_c15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.76 грн
6000+42.72 грн
12000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301A_C15.pdf
TSM2301ACX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 92293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.87 грн
10+34.49 грн
100+22.25 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301A_C15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.