Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM2301ACX RFG
TSM2301ACX RFG

TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor

tsm2301a_c15.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM2301ACX RFG за ціною від 10.27 грн до 63.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.86 грн
6000+13.13 грн
9000+12.52 грн
15000+11.12 грн
21000+10.74 грн
30000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2301A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 7.2nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.62 грн
18+23.13 грн
100+16.32 грн
500+13.37 грн
1000+12.46 грн
3000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.28 грн
6000+38.63 грн
12000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2301A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 7.2nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.75 грн
11+28.82 грн
100+19.58 грн
500+16.04 грн
1000+14.96 грн
3000+13.48 грн
6000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 92293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.02 грн
10+37.56 грн
100+24.22 грн
500+17.36 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2301A_C15.pdf Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2301A_C15.pdf MOSFET -20V, -2.8A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.