Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM2301ACX RFG
TSM2301ACX RFG

TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor

tsm2301a_c15.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TSM2301ACX RFG за ціною від 9.49 грн до 57.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.55 грн
6000+11.97 грн
9000+11.43 грн
15000+10.14 грн
21000+9.80 грн
30000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2301A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.18 грн
18+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.35 грн
6000+39.61 грн
12000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2301A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.41 грн
11+29.21 грн
100+19.85 грн
500+16.26 грн
1000+15.16 грн
3000+13.66 грн
6000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 92293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.49 грн
10+34.26 грн
100+22.10 грн
500+15.84 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2301A_C15.pdf Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2301A_C15.pdf MOSFET -20V, -2.8A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.