Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2302CX RFG
TSM2302CX RFG

TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2302CX_E1608.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.21 грн
6000+9.88 грн
9000+9.42 грн
15000+8.35 грн
21000+8.05 грн
30000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TSM2302CX RFG за ціною від 6.53 грн до 48.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM2302CX RFG TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor tsm2302_0312c.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.72 грн
6000+14.26 грн
9000+13.47 грн
15000+12.15 грн
21000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor tsm2302_0312c.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.88 грн
6000+14.41 грн
9000+13.61 грн
15000+12.27 грн
21000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2302CX.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.96 грн
11+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2302CX_E1608.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
на замовлення 36531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
11+28.69 грн
100+18.46 грн
500+13.17 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2302CX_E1608.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2302CX_E1608.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2302CX_E1608.pdf Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2302CX_E1608.pdf Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 14758 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG tsm2302_0312c.pdf
TSM2302CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.72 грн
6000+14.26 грн
9000+13.47 грн
15000+12.15 грн
21000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG tsm2302_0312c.pdf
TSM2302CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.88 грн
6000+14.41 грн
9000+13.61 грн
15000+12.27 грн
21000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX.pdf
TSM2302CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.96 грн
11+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX_E1608.pdf
TSM2302CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
на замовлення 36531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.49 грн
11+28.69 грн
100+18.46 грн
500+13.17 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX_E1608.pdf
TSM2302CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX_E1608.pdf
TSM2302CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX_E1608.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG TSM2302CX_E1608.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 14758 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.