TSM2302CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 16.7 грн |
| 25+ | 14.12 грн |
| 72+ | 11.27 грн |
| 197+ | 10.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2302CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Інші пропозиції TSM2302CX RFG за ціною від 9.64 грн до 35.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM2302CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM2302CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 13657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM2302CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM2302CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 13657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Виробник : TAI-SEM |
N-MOSFET 2.8A 20V 1.25W 0.065Ω TSM2302CX TTSM2302cx кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
TSM2302CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TSM2302CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
TSM2302CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
TSM2302CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
TSM2302CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |