TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.24 грн |
| 6000+ | 13.49 грн |
| 9000+ | 12.89 грн |
| 15000+ | 11.46 грн |
| 21000+ | 11.08 грн |
| 30000+ | 10.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TSM2305CX RFG за ціною від 6.30 грн до 63.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V |
на замовлення 91054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cxкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor |
P Channel Power MOSFET |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor |
P Channel Power MOSFET |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TSM2305CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 91054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.29 грн |
| 10+ | 37.94 грн |
| 100+ | 24.63 грн |
| 500+ | 17.72 грн |
| 1000+ | 15.98 грн |
| TSM2305CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
MOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TSM2305CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cx
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.30 грн |
| TSM2305CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
P Channel Power MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 9.81 грн |
| 15000+ | 9.30 грн |
| 21000+ | 8.98 грн |
| 30000+ | 8.55 грн |
| TSM2305CX RFG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
P Channel Power MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 9.82 грн |
| 15000+ | 9.30 грн |
| 21000+ | 9.00 грн |
| 30000+ | 8.56 грн |


