Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2305CX RFG
TSM2305CX RFG

TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2305_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.07 грн
6000+13.34 грн
9000+12.74 грн
15000+11.33 грн
21000+10.95 грн
30000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TSM2305CX RFG за ціною від 6.30 грн до 62.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM2305CX RFG TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2305_E15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 91054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.57 грн
10+37.50 грн
100+24.35 грн
500+17.52 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor TSM2305_E15.pdf MOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2305_E15.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor TSM2305_E15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+9.81 грн
15000+9.30 грн
21000+8.98 грн
30000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG Taiwan Semiconductor TSM2305_E15.pdf P Channel Power MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+9.82 грн
15000+9.30 грн
21000+9.00 грн
30000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
TSM2305CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 91054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.57 грн
10+37.50 грн
100+24.35 грн
500+17.52 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
TSM2305CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+9.81 грн
15000+9.30 грн
21000+8.98 грн
30000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFG TSM2305_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+9.82 грн
15000+9.30 грн
21000+9.00 грн
30000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.