Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM2307CX RFG
TSM2307CX RFG

TSM2307CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR

TSM2307CX_D15.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2307CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm.

Інші пропозиції TSM2307CX RFG за ціною від 26.65 грн до 67.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2307CX RFG TSM2307CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0001064521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
на замовлення 18249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.52 грн
50+65.80 грн
100+64.08 грн
500+46.02 грн
1500+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG TSM2307CX RFG Taiwan Semiconductor TSM2307CX_D15-1918701.pdf MOSFET -30V -3A Single P-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 13935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG TWSC-S-A0001064521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TSM2307CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
на замовлення 18249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.52 грн
50+65.80 грн
100+64.08 грн
500+46.02 грн
1500+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG TSM2307CX_D15-1918701.pdf
TSM2307CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET -30V -3A Single P-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 13935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.