Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2308CX RFG
TSM2308CX RFG

TSM2308CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2308_C15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.27 грн
6000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2308CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM2308CX RFG за ціною від 25.05 грн до 94.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2308CX RFG TSM2308CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2308_C15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.66 грн
10+57.26 грн
100+37.76 грн
500+27.58 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2308_C15.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2308CX RFG TSM2308CX TTSM2308cx
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG TSM2308CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2308_C15.pdf MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.