
TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM2309CX RFG за ціною від 6.67 грн до 46.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.2nC |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V |
на замовлення 33991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |