TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.14 грн |
| 6000+ | 7.93 грн |
| 9000+ | 7.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM2309CX RFG за ціною від 6.43 грн до 36.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V |
на замовлення 47298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 32221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM2309CX RFG | Виробник : TAI-SEM |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 3,1A; 1,56W; -50°C ~ 150°C; TSM2309CX RFG TSM2309CX TTSM2309cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM2309CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM2309CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |