Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2309CX RFG
TSM2309CX RFG

TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2309CX_D2212.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.38 грн
6000+9.13 грн
9000+8.69 грн
15000+7.69 грн
21000+7.41 грн
30000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM2309CX RFG за ціною від 7.18 грн до 45.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM2309CX RFG TSM2309CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2309.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
25+17.20 грн
100+12.80 грн
500+10.64 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor TSM2309CX_D2212.pdf MOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.92 грн
14+23.74 грн
100+14.01 грн
1000+10.91 грн
3000+8.56 грн
9000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2309CX_D2212.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
12+26.92 грн
100+17.25 грн
500+12.27 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2309CX_D2212.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 3,1A; 1,56W; -50°C ~ 150°C; TSM2309CX RFG TSM2309CX TTSM2309cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309.pdf
TSM2309CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.74 грн
25+17.20 грн
100+12.80 грн
500+10.64 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX_D2212.pdf
TSM2309CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.92 грн
14+23.74 грн
100+14.01 грн
1000+10.91 грн
3000+8.56 грн
9000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX_D2212.pdf
TSM2309CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
12+26.92 грн
100+17.25 грн
500+12.27 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX_D2212.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 3,1A; 1,56W; -50°C ~ 150°C; TSM2309CX RFG TSM2309CX TTSM2309cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.