TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.31 грн |
| 6000+ | 12.19 грн |
| 9000+ | 10.85 грн |
| 15000+ | 10.30 грн |
| 21000+ | 9.24 грн |
| 30000+ | 8.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM2309CX RFG за ціною від 7.82 грн до 47.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM2309CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: tape Power dissipation: 1.56W Gate charge: 8.2nC Polarisation: unipolar Drain current: -2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| TSM2309CX RFG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.31 грн |
| 6000+ | 12.19 грн |
| 9000+ | 10.85 грн |
| 15000+ | 10.30 грн |
| 21000+ | 9.24 грн |
| 30000+ | 8.63 грн |
| TSM2309CX RFG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
MOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.15 грн |
| 12+ | 25.87 грн |
| 100+ | 15.27 грн |
| 1000+ | 11.89 грн |
| 3000+ | 9.33 грн |
| 9000+ | 7.82 грн |
| TSM2309CX RFG |
|
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Power dissipation: 1.56W
Gate charge: 8.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Power dissipation: 1.56W
Gate charge: 8.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 47.54 грн |
| 16+ | 26.32 грн |