TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.39 грн |
| 5000+ | 18.56 грн |
| 7500+ | 17.97 грн |
| 12500+ | 16.23 грн |
| 17500+ | 16.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TSM230N06CP ROG за ціною від 17.60 грн до 69.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM230N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TSM230N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
на замовлення 30099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TSM230N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM230N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG TSM230N06CP TTSM230n06cpкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
TSM230N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
TSM230N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
TSM230N06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| TSM230N06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; 53W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 32A Power dissipation: 53W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
