TSM230N06PQ56 RLG

TSM230N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM230N06PQ56_B1710.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.37 грн
5000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM230N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TSM230N06PQ56 RLG за ціною від 30.27 грн до 96.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06PQ56_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
10+62.15 грн
100+43.41 грн
500+32.86 грн
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 140tsm230n06pq56_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 140tsm230n06pq56_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor 140tsm230n06pq56_b1710.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56 RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM230N06PQ56_B1710.pdf MOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.