Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2312CX RFG
TSM2312CX RFG

TSM2312CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2312_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2312CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TSM2312CX RFG за ціною від 16.91 грн до 56.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM2312CX RFG TSM2312CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2312_E15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 152875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.33 грн
10+36.31 грн
100+24.92 грн
500+18.52 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2312_E15.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2312CX RFG TTSM2312cx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2312CX RFG TSM2312CX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM2312_E15.pdf MOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.