Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM2314CX RFG
TSM2314CX RFG

TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2314_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.35 грн
6000+13.60 грн
9000+13.00 грн
15000+11.56 грн
21000+11.19 грн
30000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TSM2314CX RFG за ціною від 12.07 грн до 63.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM2314CX RFG TSM2314CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314_E15.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.13 грн
11+39.20 грн
50+27.66 грн
100+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFG TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2314_E15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 32378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.43 грн
10+37.95 грн
100+24.68 грн
500+17.80 грн
1000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2314_E15.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFG TSM2314_E15.pdf
TSM2314CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.13 грн
11+39.20 грн
50+27.66 грн
100+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFG TSM2314_E15.pdf
TSM2314CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 32378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.43 грн
10+37.95 грн
100+24.68 грн
500+17.80 грн
1000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2314CX RFG TSM2314_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.