TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.26 грн |
| 6000+ | 14.53 грн |
| 9000+ | 13.95 грн |
| 15000+ | 12.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TSM2314CX RFG за ціною від 11.37 грн до 78.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM2314CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 17551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TSM2314CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Gate charge: 14nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM2314CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V |
на замовлення 21043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM2314CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Gate charge: 14nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TSM2314CX RFG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TSM2314CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
TSM2314CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
N Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
TSM2314CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TSM2314CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
TSM2314CX RFG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |